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MOSFET功率場效應管的主要性能參數


?功率MOSFET的主要參數有額定電壓、額定電流、導通電阻、柵一源極導通閾值電壓和額定耗散功率以及柵極電荷。

1.額定電壓:是指在柵一源極電壓為零、室溫的狀態下,可以持續承受的zui高電壓。需要注意的是,額定電壓不是MOSFET的漏一源極之間的擊穿電壓,而是略低于擊穿電壓,通常為擊穿電壓的0.9~0.95。MOSFET的漏一源極之間的擊穿電壓(VB)隨結溫而上升,耐壓越高的MOSFET變化越大。

現在的MOSFET具有雪崩擊穿耐量,也就是說,現在的MOSFET在一定條件下可以工作在雪崩擊穿狀態,只要雪崩擊穿能量不超過其雪崩擊穿耐量即可。這個特點是其他半導體器件(除穩壓二極管外)所不具備的。


2.額定電流:指在殼溫為25℃、柵一源極電壓為10V時MOSFET可以承受的持續的電流值。需要注意的是,隨著殼溫的升,額定電流下降,到100aC殼溫時MOSFET的額定電流將下降到25℃時額定電流的約60%。當殼溫達到150℃時,MOSFET的額定電流下降到零。具體的電流降額需要查具體型號的數據。


3.導通電阻:是指在結溫為室溫和柵一源極電壓為10V的條件下,MOSFET的漏一源極之間的導通電阻。需要注意的是,導通電阻隨結溫而上升,當結溫達到150qC時,導通電阻將達到室溫時的2.5~2.8倍。即使結溫在100℃時,其導通電阻也會為室溫條件下的2倍。


4.柵一源極導通閾值電壓:指MOSFET導通的臨界柵一源極電壓。


5.額定耗散功率:指在殼溫為25℃條件下,MOSFET可以耗散的功率。需要注意的是,隨著殼溫的上升,MOSFET的耗散功率下降。


6.柵極電荷:MOSFET的柵極一源極之間的電壓從OV上升到規定電壓所需要的電荷。在相同的驅動電流條件下,柵極電荷越小,柵極一源極電壓上升速度越快,MOSFET的開關速度也越快。因此,柵極電荷越小越好。柵極一漏極電荷在MOSFET開關過程起著決定作用,因此也常被稱為“米勒電荷”。米勒電荷越小,MOSFET的開關速度越快,即在相同的驅動條件下,米勒電荷越低,開關速度越快。在實際應用時,如有條件,應盡可能選用比較新型的MOSFET
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